2SK1119(F)
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| Numero di parte | 2SK1119(F) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SK1119(F) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5393 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod Guide2SK1119 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.8 Ohm @ 2A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 1000V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 1000V 4A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
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