SI3443DVTR
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| Numero di parte | SI3443DVTR |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI3443DVTR | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5124 pcs | Scheda dati | Si3443DV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | Micro6™(TSOP-6) | Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi | *SI3443DVTR SI3443DVCT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1079pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta) |
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