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SI3443DV

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Numero di parte SI3443DV
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 350777 pcs
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Numero di parte SI3443DV fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 350777 pcs Scheda dati SI3443DV
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 6-SSOT Serie PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 65 mOhm @ 4A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi SI3443DVFSCT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata P-Channel 20V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-SSOT Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)

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