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SI3447CDV-T1-E3

SI3447CDV-T1-E3
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Numero di parte SI3447CDV-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 204667 pcs
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Numero di parte SI3447CDV-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 204667 pcs Scheda dati SI3447CDV
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® Rds On (max) a Id, Vgs 36 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3W (Tc) imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Altri nomi SI3447CDV-T1-E3CT
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 6V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 8V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 12V
Descrizione dettagliata P-Channel 12V 7.8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A (Tc)

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