IPP65R600E6XKSA1
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| Numero di parte | IPP65R600E6XKSA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPP65R600E6XKSA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4090 pcs | Scheda dati | IPx65R600E6 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 210µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 | Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.1A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | IPP65R600E6 IPP65R600E6-ND SP000850500 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
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