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IPP70N10S312AKSA1

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Numero di parte IPP70N10S312AKSA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 61262 pcs
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Numero di parte IPP70N10S312AKSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 61262 pcs Scheda dati IPx70N10S3-12
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 83µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-1 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 11.6 mOhm @ 70A, 10V Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi IPP70N10S3-12
IPP70N10S3-12-ND
IPP70N10S312
SP000407122		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4355pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)

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