IPP65R190E6XKSA1
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| Numero di parte | IPP65R190E6XKSA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.322 | $1.181 | $0.968 | $0.784 | $0.661 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPP65R190E6XKSA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 54915 pcs | Scheda dati | IPP65R190E6 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 730µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 | Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 151W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20.2A (Tc) |
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