BSZ086P03NS3EGATMA1
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| Numero di parte | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.383 | $0.334 | $0.257 | $0.191 | $0.153 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSZ086P03NS3EGATMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 134848 pcs | Scheda dati | BSZ086P03NS3E G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.1V @ 105µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | BSZ086P03NS3E GDKR BSZ086P03NS3E GDKR-ND BSZ086P03NS3EGATMA1DKR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4785pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 57.5nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
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