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BSZ075N08NS5ATMA1

BSZ075N08NS5ATMA1
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Numero di parte BSZ075N08NS5ATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 81642 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte BSZ075N08NS5ATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 81642 pcs Scheda dati BSZ075N08NS5
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 36µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 69W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi BSZ075N08NS5ATMA1-ND
BSZ075N08NS5ATMA1TR
SP001132454		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2080pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29.5nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 80V Descrizione dettagliata N-Channel 80V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)

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