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BSZ084N08NS5ATMA1

BSZ084N08NS5ATMA1
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Numero di parte BSZ084N08NS5ATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 108509 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte BSZ084N08NS5ATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 108509 pcs Scheda dati BSZ084N08NS5
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 31µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 8.4 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi SP001227056 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1820pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 80V Descrizione dettagliata N-Channel 80V 40A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)

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