GP1M016A060N
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| Numero di parte | GP1M016A060N |
|---|---|
| fabbricante | Global Power Technologies Group |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | GP1M016A060N | fabbricante | Global Power Technologies Group |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4171 pcs | Scheda dati | GP1M016A060N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-3PN | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 470 mOhm @ 8A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 312W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi | 1560-1188-1 1560-1188-1-ND 1560-1188-5 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3039pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 16A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
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