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GP1M013A050H

GP1M013A050H
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Numero di parte GP1M013A050H
fabbricante Global Power Technologies Group
Descrizione MOSFET N-CH 500V 13A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4826 pcs
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Numero di parte GP1M013A050H fabbricante Global Power Technologies Group
Descrizione MOSFET N-CH 500V 13A TO220 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4826 pcs Scheda dati GP1M013A050(F)H
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 480 mOhm @ 6.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 183W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi 1560-1181-1
1560-1181-1-ND
1560-1181-5		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1918pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500V Descrizione dettagliata N-Channel 500V 13A (Tc) 183W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)

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