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GP1M023A050N

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Numero di parte GP1M023A050N
fabbricante Global Power Technologies Group
Descrizione MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5419 pcs
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Numero di parte GP1M023A050N fabbricante Global Power Technologies Group
Descrizione MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5419 pcs Scheda dati GP1M023A050N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 220 mOhm @ 11.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 347W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3
Altri nomi 1560-1192-1
1560-1192-1-ND
1560-1192-5
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3391pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500V Descrizione dettagliata N-Channel 500V 23A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)

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