SUP50N10-21P-GE3
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| Numero di parte | SUP50N10-21P-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.69 | $0.612 | $0.484 | $0.375 | $0.296 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SUP50N10-21P-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 76760 pcs | Scheda dati | TO-220AB Package DrawingSUP50N10-21P |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 21 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2055pF @ 50V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 50A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
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