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SUP60N02-4M5P-E3

SUP60N02-4M5P-E3
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Numero di parte SUP60N02-4M5P-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4125 pcs
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Numero di parte SUP60N02-4M5P-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4125 pcs Scheda dati Packaging InformationSUP60N02-4M5P
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 120W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5950pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata N-Channel 20V 60A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)

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