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SUP40010EL-GE3

SUP40010EL-GE3
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Numero di parte SUP40010EL-GE3
fabbricante Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 46250 pcs
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Numero di parte SUP40010EL-GE3 fabbricante Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 46250 pcs Scheda dati SUP40010EL
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - Prova 11155pF @ 30V
Tensione - Ripartizione TO-220AB Vgs (th) (max) a Id 1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) 4.5V, 10V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Serie ThunderFET® Stato RoHS Digi-Reel®
Rds On (max) a Id, Vgs 120A (Tc) Polarizzazione TO-220-3
Altri nomi SUP40010EL-GE3DKR temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks codice articolo del costruttore SUP40010EL-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230nC @ 10V Tipo IGBT ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5V @ 250µA Caratteristica FET N-Channel
Descrizione espansione N-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB Tensione drain-source (Vdss) -
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40V
rapporto di capacità 375W (Tc)

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