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SUD19P06-60-E3

SUD19P06-60-E3
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Numero di parte SUD19P06-60-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 123185 pcs
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Numero di parte SUD19P06-60-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 123185 pcs Scheda dati SUD19P06-60
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 60 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi SUD19P06-60-E3-ND
SUD19P06-60-E3TR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata P-Channel 60V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18.3A (Tc)

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