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SUD08P06-155L-GE3

SUD08P06-155L-GE3
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Numero di parte SUD08P06-155L-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 118844 pcs
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Numero di parte SUD08P06-155L-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 118844 pcs Scheda dati SUD08P06-155L-GE3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 155 mOhm @ 5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi SUD08P06-155L-GE3DKR temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata P-Channel 60V 8.4A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount TO-252 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.4A (Tc)
Numero di parte base SUD08P06

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