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SUD19N20-90-E3

SUD19N20-90-E3
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Numero di parte SUD19N20-90-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 51083 pcs
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Numero di parte SUD19N20-90-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 200V 19A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 51083 pcs Scheda dati SUD19N20-90
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 90 mOhm @ 5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 136W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi SUD19N20-90-E3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V Descrizione dettagliata N-Channel 200V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)

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