SQJ958EP-T1_GE3
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| Numero di parte | SQJ958EP-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.152 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQJ958EP-T1_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 130706 pcs | Scheda dati | SQJ958EP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V | Potenza - Max | 35W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 Dual |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1075pF @ 30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc) 35W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
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