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SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3
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Numero di parte SQJ914EP-T1_GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 116614 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte SQJ914EP-T1_GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 116614 pcs Scheda dati SQJ914EP
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 12 mOhm @ 4.5A, 10V Potenza - Max 27W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8 Dual
Altri nomi SQJ914EP-T1_GE3TR temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 30A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)

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