SQJ963EP-T1_GE3
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| Numero di parte | SQJ963EP-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.727 | $0.658 | $0.529 | $0.411 | $0.341 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQJ963EP-T1_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 61695 pcs | Scheda dati | SQJ963EP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.5A, 10V | Potenza - Max | 27W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi | SQJ963EP-T1_GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
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- Parte#:
CPS19-NC00A10-SNCSNCNF-RI0CGVAR-W1020-S - Produttori:
Schurter - Descrizione:
SWITCH PUSH SPST-NC 100MA 42V - Disponibile:
4817