SQJ244EP-T1_GE3
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| Numero di parte | SQJ244EP-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.207 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQJ244EP-T1_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 91354 pcs | Scheda dati | SQJ244EP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V | Potenza - Max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi | SQJ244EP-T1_GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 47 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 45nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 40V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
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