SQJ200EP-T1_GE3
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| Numero di parte | SQJ200EP-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.433 | $0.385 | $0.304 | $0.236 | $0.186 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQJ200EP-T1_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 103400 pcs | Scheda dati | SQJ200EP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 16A, 10V | Potenza - Max | 27W, 48W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi | SQJ200EP-T1_GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A, 60A |
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