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SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3
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Numero di parte SQJ407EP-T1_GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS
In Stock 92675 pcs
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Numero di parte SQJ407EP-T1_GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile 92675 pcs Scheda dati SQJ407EP
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 4.4 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8
Altri nomi SQJ407EP-T1_GE3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata P-Channel 30V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)

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