SQ4435EY-T1_GE3
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| Numero di parte | SQ4435EY-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.217 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQ4435EY-T1_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 94497 pcs | Scheda dati | SQ4435EY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 18 mOhm @ 8A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 6.8W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 15A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
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