SQ4850EY-T1_GE3
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| Numero di parte | SQ4850EY-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.545 | $0.483 | $0.382 | $0.296 | $0.234 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQ4850EY-T1_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 97695 pcs | Scheda dati | SQ4850EY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 22 mOhm @ 6A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 6.8W (Tc) | imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Altri nomi | SQ4850EY-T1_GE3CT |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 12A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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