SQ4153EY-T1_GE3
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| Numero di parte | SQ4153EY-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.252 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQ4153EY-T1_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 76534 pcs | Scheda dati | SQ4153EY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 7.1W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 6V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 12V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
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