SIR664DP-T1-GE3
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| Numero di parte | SIR664DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.19 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIR664DP-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 114064 pcs | Scheda dati | SIR664DP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 6 mOhm @ 20A, 10V |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi | SIR664DP-T1-GE3TR | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 60A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
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