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SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3
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Numero di parte SIR668ADP-T1-RE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 71550 pcs
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Numero di parte SIR668ADP-T1-RE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 71550 pcs Scheda dati SIR668ADP
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Serie TrenchFET® Gen IV
Rds On (max) a Id, Vgs 4.8 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8
Altri nomi SIR668ADP-T1-RE3TR temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 32 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3750pF @ 50V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione dettagliata N-Channel 100V 93.6A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 93.6A (Tc)

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