SIR662DP-T1-GE3
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| Numero di parte | SIR662DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.368 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIR662DP-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 94580 pcs | Scheda dati | SIR662DPPowerPak SO-8 Drawing |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi | SIR662DP SIR662DP-T1-GE3TR SIR662DPT1GE3 SIR662DPTR SIR662DPTR-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4365pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
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