SIHP11N80E-GE3
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| Numero di parte | SIHP11N80E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.494 | $1.333 | $1.093 | $0.885 | $0.746 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHP11N80E-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 48173 pcs | Scheda dati | SIHP11N80E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB | Serie | E |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 440 mOhm @ 5.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 179W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 800V | Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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