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SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3
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Numero di parte SIHP12N60E-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 71306 pcs
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Numero di parte SIHP12N60E-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 71306 pcs Scheda dati SiHF12N60E
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie E
Rds On (max) a Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V Dissipazione di potenza (max) 147W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi SIHP12N60E-GE3CT
SIHP12N60E-GE3CT-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 937pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 12A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)

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