SIHP050N60E-GE3
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| Numero di parte | SIHP050N60E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.775 | $3.396 | $2.792 | $2.339 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHP050N60E-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 16057 pcs | Scheda dati | SIHP050N60E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB | Serie | E |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 50 mOhm @ 23A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 278W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3459pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 51A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
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