SI8902AEDB-T2-E1
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| Numero di parte | SI8902AEDB-T2-E1 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.117 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI8902AEDB-T2-E1 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 187032 pcs | Scheda dati | SI8902AEDB |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 900mV @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-Micro Foot™ (1.5x1) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 28 mOhm @ 1A, 4.5V | Potenza - Max | 5.7W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-UFBGA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 24V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 24V 11A 5.7W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A |
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