SI8900EDB-T2-E1
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| Numero di parte | SI8900EDB-T2-E1 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.65 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI8900EDB-T2-E1 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 46856 pcs | Scheda dati | SI8900EDB |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1.1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | - | Potenza - Max | 1W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 10-UFBGA, CSPBGA |
| Altri nomi | SI8900EDB-T2-E1TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 13 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A | Numero di parte base | SI8900 |
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- Parte#:
94W-NWR120-CAO - Produttori:
VCC (Visual Communications Company) - Descrizione:
PMI .290" 120VAC FLUSH WIRE RED - Disponibile:
4563