SI8901EDB-T2-E1
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| Numero di parte | SI8901EDB-T2-E1 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI8901EDB-T2-E1 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4532 pcs | Scheda dati | SI8901EDB |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 350µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-Micro Foot™ (1.5x1) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | - | Potenza - Max | 1W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-MICRO FOOT®CSP |
| Altri nomi | SI8901EDB-T2-E1TR SI8901EDBT2E1 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.5A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
| Numero di parte base | SI8901 |
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