SI8429DB-T1-E1
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| Numero di parte | SI8429DB-T1-E1 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.177 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI8429DB-T1-E1 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 134566 pcs | Scheda dati | SI8429DB |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 800mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±5V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 4-Microfoot | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 35 mOhm @ 1A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Altri nomi | SI8429DB-T1-E1TR SI8429DBT1E1 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 4V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 8V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 8V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11.7A (Tc) |
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