SI8425DB-T1-E1
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| Numero di parte | SI8425DB-T1-E1 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.09 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI8425DB-T1-E1 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 213107 pcs | Scheda dati | S18425DB |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 4-WLCSP (1.6x1.6) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 23 mOhm @ 2A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 4-UFBGA, WLCSP |
| Altri nomi | SI8425DB-T1-E1TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-WLCSP (1.6x1.6) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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