SI8424DB-T1-E1
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| Numero di parte | SI8424DB-T1-E1 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI8424DB-T1-E1 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5320 pcs | Scheda dati | SI8424DB |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±5V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 4-Microfoot | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 31 mOhm @ 1A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Altri nomi | SI8424DB-T1-E1CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 4V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 8V | Descrizione dettagliata | N-Channel 8V 12.2A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12.2A (Tc) |
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