SI6969BDQ-T1-E3
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| Numero di parte | SI6969BDQ-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI6969BDQ-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5647 pcs | Scheda dati | SI6969BDQ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 800mV @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSSOP | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.6A, 4.5V | Potenza - Max | 830mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi | SI6969BDQ-T1-E3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Numero di parte base | SI6969 |
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