SI6975DQ-T1-GE3
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| Numero di parte | SI6975DQ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.302 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI6975DQ-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 74105 pcs | Scheda dati | SI6975DQ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 450mV @ 5mA (Min) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSSOP | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V | Potenza - Max | 830mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 21 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 830mW Surface Mount 8-TSSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A |
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- Parte#:
SD039-121-011 - Produttori:
Advanced Photonix (Luna Optoelectronics) - Descrizione:
PHOTODIODE 10V 1MM TO46 - Disponibile:
528