SI6968BEDQ-T1-GE3
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| Numero di parte | SI6968BEDQ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.094 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI6968BEDQ-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 205636 pcs | Scheda dati | SI6968BEDQ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.6V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSSOP | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V | Potenza - Max | 1W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi | SI6968BEDQ-T1-GE3-ND SI6968BEDQ-T1-GE3TR SI6968BEDQT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A | Numero di parte base | SI6968 |
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