SI1970DH-T1-GE3
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| Numero di parte | SI1970DH-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI1970DH-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4572 pcs | Scheda dati | SI1970DH |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.6V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-70-6 (SOT-363) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V | Potenza - Max | 1.25W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A | Numero di parte base | SI1970 |
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