SI1912EDH-T1-E3
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| Numero di parte | SI1912EDH-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI1912EDH-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5337 pcs | Scheda dati | SI1912EDH |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 450mV @ 100µA (Min) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-70-6 (SOT-363) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V | Potenza - Max | 570mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi | SI1912EDH-T1-E3TR SI1912EDHT1E3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.13A 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.13A |
| Numero di parte base | SI1912 |
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- Parte#:
8428123022134 - Produttori:
Amphenol Commercial Products - Descrizione:
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