IRFB11N50A
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| Numero di parte | IRFB11N50A |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IRFB11N50A | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 4161 pcs | Scheda dati | Packaging InformationIRFB11N50A |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 520 mOhm @ 6.6A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | *IRFB11N50A | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1423pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 500V | Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
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