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IRFB13N50A

IRFB13N50A
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Numero di parte IRFB13N50A
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 5160 pcs
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Numero di parte IRFB13N50A fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5160 pcs Scheda dati Packaging InformationIRFB13N50A
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 450 mOhm @ 8.4A, 10V Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi *IRFB13N50A temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1910pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500V Descrizione dettagliata N-Channel 500V 14A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)

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