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IRFB17N60K

IRFB17N60K
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Numero di parte IRFB17N60K
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 5619 pcs
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Numero di parte IRFB17N60K fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5619 pcs Scheda dati Packaging InformationIRFB17N60K, SiHFB17N60K
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 420 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 340W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi *IRFB17N60K temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 99nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 17A (Tc) 340W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)

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