EPC2103
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| Numero di parte | EPC2103 |
|---|---|
| fabbricante | EPC |
| Descrizione | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | 250 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.346 | $3.011 | $2.744 | $2.476 | $2.275 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | EPC2103 | fabbricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 15301 pcs | Scheda dati | EPC2103 Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 7mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | Die | Serie | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 5V | Potenza - Max | - |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | Die |
| Altri nomi | 917-1183-1 | temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 14 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 40V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione drain-source (Vdss) | 80V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 28A Surface Mount Die |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 28A |
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