EPC2102ENG
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| Numero di parte | EPC2102ENG |
|---|---|
| fabbricante | EPC |
| Descrizione | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.811 | $3.525 | $3.24 | $2.954 | $2.763 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | EPC2102ENG | fabbricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 13779 pcs | Scheda dati | EPC2102 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 7mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | Die | Serie | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 20A, 5V | Potenza - Max | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | Die |
| Altri nomi | 917-EPC2102ENG EPC2102ENGRH6 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 23A |
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